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Silego公司三款新产品

分享新闻 2020-06-08
Silego公司三款新产品

,美国加州圣克拉拉,Silego 公司推出三款新的产品:

40 mΩ双通道且封装尺寸为1.0 x 1.6 mm的 GreenFET3™ 负载开关

Silego 公司CuFET™技术使得全功能负载开关突破了$0.05/每通道的价格。

美国加州圣克拉拉,Silego 公司推出SLG59M1446V-一款40 mΩ双通道负载开关产品基于Silego公司其专有的亚微米铜装电源FET技术。此种技术支持业界最小,功能最全,且高效率的电源开关且塑封尺寸低至1 x 1 mm。

SLG59M1446V为全功能双通道负载开关以8-pin STDFN 1.0 x 1.6 mm尺寸封装。每条通道可分别配置启用。此款器件即使在动态负载条件下也能产生线性斜坡电压。每条通道可分别使用外部电阻进行调节。此款器件可切换1.0 V 到5.0 V电源,连续电流和峰值电流为可分别达至1A和1.5A。

1.0 x 1.6 mm 的封装允许有效半导体器件封装于极限空间内。Silego公司产品行销部主管Nathan John提到,CuFET技术使得器件不仅性能高,尺寸极小同时相容标準可靠塑封形式。

标準STDFN封装可额外保护其免受外界光影响或WLCSP处理过程中经常出现过的损坏。此款优越的机械设计允许标準PCB生产工序来处理Silego的GreenFET器件。
SLG59M1446V 功能:

目标应用:

业界首颗针对低电压、快速启动电源应用的p通道MOSFE替代产品集成负载开关

NanopowerFET™纳安级功耗负载开关是一款基于Silego CuFET™技术的小型,快速且几乎零功耗由TDFN封装而成。

,美国加州圣克拉拉-Silego公司的电源族又推出了纳安级功耗负载开关系列。此系列推出了两款产品:支持6A负载电流的SLG59M1470V和支持2A负载电流的SLG59M1460V。

Silego公司专有的亚微米铜装FET技术支持以1 x 1 mm标準塑封的业界最小,功能最全的高效率电源开关

纳安级功耗能源负载开关支持低至9.5 μs内快速电源切换。此快速切换特点允许任意系统当电源关闭时提供电源分离。有效模式下启动SLG59M1470V仅消耗35 nA 休眠模式下的极低功耗以及有效模式下的低Rds(ON)

导通电阻性能大大提高了电池寿命。

Silego公司行销部主管Jay Li 说到,手机系统设计人员要求负载开关同时具备三个参数:快速启动,低Rds(ON)导通电阻以及低能耗。目前的P通道MOSFET解决方案虽然启动速度能耗低,但是电源低于2.5V时导通电阻高。我们的纳安级功耗能源负载开关是业界首颗具备了此三样关键手机性能参数的集成负载开关。此款器件现广泛应用到新一代手机器件包括平板电脑,笔记本以及智能手机中。

SLG59M1470V以9 pin, 1.5 x 2.0 mm STDFN封装。此器件可切换1.0V以下电源。SLG59M1470V的导通电阻在7.4 mΩ.。
SLG59M1460V以8 pin, 1.0 x 1.6 mm STDFN封装。此器件可切换1.0V电源。SLG59M1460V的导通电阻在21.3 mΩ。

目标应用:

业界最薄款塑胶电源封装

Silego公司三款新产品

Silego公司的新款Lo-ZTM超薄款塑胶封装的GreenFET3™负载开关,其0.27mm的厚度封装在薄款塑胶封装应用中又创一新的纪录。

Silego公司于美国加州圣克拉拉引用Lo-ZTM ETDFN(超薄款 DFN)封装技术。Lo-Z封装引用的是最新引脚导线架上倒装焊晶片封装技术,在厚度上突破了0.27 mm纪录!

Silego公司行销副总裁John McDonald提到,0.27mm封装尺寸的厚度可允许有效半导体器件封装于一些在无源器件中厚度受限的PCB传统空间内。此方面的开发在手持移动设备及可携式消费电子方面开闢了另一种形式因素的可能。Silego正计画为其产品系列包括可编程混合信号Matrix 系列的GPAK以及32.768 kHz的晶体替代产品系列GCLK引用此封装。

Lo-Z 技术更优于WLCSP技术。例如,Lo-Z部件仅为WLCSP封装尺寸厚度的一半。并且,Lo-Z可保护其免受外界光及WLCSP过程中经常出现的损坏。此款优越的机械设计可允许标準PCB生产工序来处理Lo-Z器件。

SLG59M1493Z是Silego公司首款引用Lo-Z封装技术的GreenFET3负载开关产品。它是一款以1.0 x 1.6 x 0.27 mm的8 pin封装而成的单通道负载开关。此款器件具有可调节斜率支持线性电压斜坡控制并可切换1.0 V 到 5.0 V电源,高至2.5A电流。Rds(ON)导通电阻额定在17 mΩ。

目标应用:

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